Yb:YAG(イッテルビウム ドープ イットリウムアルミニウムガーネット)は、ダイオードポンプレーザーの設計や光学アプリケーションにおいて非常に重要です。
この素晴らしい結晶は、低い断片的発熱、高い変換効率、広い吸収バンド幅、信頼性の高いInGaAsダイオードで励起可能、高い熱伝導率と大きな機械的強度、高い光学品質を持っています。
Yb:YAG結晶は、レーザー加工、光通信、ライフサイエンス、医療、物理学、センシングなどの分野で広く使用されています。
Advantages of Yb:YAG Crystals
- Very low fractional heating, less than11%
- Very high slope efficiency
- Broad absorption bands, about 8nm@940nm
- No excited-state absorption or up-conversion
- Conveniently pumped by reliable InGaAs diodes at 940nm(or 970nm)
- High thermal conductivity and large mechanical strength * High optical quality
Material and Specifications
Dopant concentration | Yb: 5~15 at% |
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Wavefront Distortion | ≤ 0.125 λ/inch |
Extinction Ratio | ≥28 dB |
Rod Sizes | Diameter:2~20 mm, Length:5~150 mm Upon request of customer |
Dimensional Tolerances | Diameter:+0.00 "/-0.002 "mm, Length: ± 0.02 " |
Barrel Finish | Ground Finish: 400# Grit |
Parallelism | ≤ 10 " |
Perpendicularity | ≤ 5 ′ |
Flatness | λ/10 |
Surface Quality | 10/5 (MIL-PRF-13830B) |
Chamfer | 0.006 " ±0.002 " at 45 °± 5 ° |
AR Coating Reflectivity | ≤ 0.25 % (@1030 nm) |
Single pass loss | <3 × 103 cm-1 |
Optical and Spectral Properties of Yb:YAG Crystal
Laser Transition | 2F5/2→2F7/2 |
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Laser Wavelength | 1030 nm |
Photon Energy | 1.93×10-19J (@1030 nm) |
Emission Linewidth | 9 nm |
Emission Cross Section | 2.0 × 10-20 cm2 |
Fluorescence Lifetime | 1.2 ms |
Diode Pump Band | 940 nm or 970 nm |
Pump Absorption Band Width | 8 nm |
Index of Refraction | 1.82 |
Thermal Optical Coefficient | 9×10-6 /℃ |
Loss Coefficient | 0.003 cm-1 |
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