特長

  • 高出力 / 高安定性(+10dBm / ±0.01dB)
  • 波長精度:30pm
  • 1.8nm(typ)内部温度コントロールによる波長チューニング

仕様

  • *1
    Location of channel center: lower boundary of the range + 0.4 nm < channel center < upper boundary of the range - 0.4 nm.
  • *2
    After warm-up and at maximum power.
  • *3
    At a constant temperature.
  • *4
    Measured with an APC terminated jumper on a powermeter.
  • *5
    RIN within the range 100 MHz–20 GHz measured at 10 dBm output power with RBW = 30 kHz
  • *6
    SBS = Stimulated Brillouin Scattering.
  • *7
    See OSICS Mainframe Data Sheet for details on OSICS common specifications and interfaces on the rear panel.

技術資料

データシート


この製品に関するお問合せフォーム

フォームが表示されるまでしばらくお待ちください。

しばらくお待ちいただいてもフォームが表示されない場合、恐れ入りますが こちら までお問合せください。

ページトップへ