このドライバーの繰り返し周波数は、0~50 Hz、出力電圧は1.2~4.0 kV、立ち上がり時間は300~800 us、立ち下がり時間は10 ns、パルス幅は160~300 µsです。
このドライバーは、位相差板を必要としないレーザーの Qスイッチング用に設計されています。トリガーされると、高電圧が印加され、レーザー出力を抑制します。
調整可能な遅延時間の後、ポッケルスセルが高速負パルスによって開放され、レーザー出力が可能になります。
Q-Drive ダブルパルスは、しばしば採用される定電圧オンシナリオと比較して、ポッケルスセルの寿命とレーザー出力を向上させることが示されています。
このコンパクトな140x92x32 mmの回路は、リモート電圧モニター(1 V/kV)とリモート・シャットダウンを含む高電圧電源を内蔵しています。
特長
- 1.2-4.0 kVの調整可能出力電圧
- 0-50 Hz繰り返し周波数
- 300-800 μs公称オン時間(調整可能)
- 160-300 μs遅延パルス(調整可能)
- 立ち下がり時間(遅延パルス)10 ns未満
仕様
Pulse repetition rate | Min: 1 Hz, Max: 50 Hz, Same as trigger input |
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Amplitude (V1+V2) adjustable (V2=10% of V1) | Min: 1.2 kV, Max: 4.0 kV |
Total HV on time (adjustable or fixed) | Min: 300 µs, Max: 800 µs |
Delayed centre pulse (adjustable (range can be modified)) | Min: 160 µs, Max: 300 µs |
Fall time | < 10 ns (3.5 kV, 6 pF) |
Rise time | Min: 1 µs, Max: 5 µs, 3.5 kV, 6 pF |
Input voltage | Min: 15 VDC, Max: 18 VDC, Exceeding 20 VDC will damage driver |
Input current | 250 mA (4.0 kV, 50 Hz, 10pF load) |
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Input impedance | Nom: 50 Ω, Min: 48 Ω, Max: 52 Ω |
Amplitude | Nom: 5 V, Min: 4 V, Max: 10 V |
Pulse width | Min: 100ns, Max: 10ms, Set by user |
Propagation delay | Min: 80 ns, Max: 100 ns, After trailing edge of trigger |
Ambient temperature | 50° C |
技術資料
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