フラッシュランプ励起レーザー用OEM Q-Drive
QDP-DT™
このドライバーの繰り返し周波数は0～50 Hz、出力電圧は1.2～4.0 kV、立ち上がり時間は300～800 us、立ち下がり時間は10 ns、パルス幅は160～300 µsです。
このドライバーは、位相差板を必要としないレーザーのQスイッチング用に設計されています。トリガーがかかると、高電圧が印加され、レーザー出力を抑制します。
2回目のトリガーが印加されると、ポッケルスセルが高速負パルスによって開放され、レーザー出力が可能になります。
Q-Driveダブル・パルスは、しばしば採用される定電圧オン・シナリオに比べて、ポッケルスセル寿命とレーザー出力を向上させることが示されています。
このコンパクトな127x87x32 mmの回路は、リモート電圧モニター（1 V/kV）とリモートシャットダウンを含む高電圧電源を内蔵しています。
特長
- 1.2-4.0 kVの調整可能出力電圧
- 0-50 Hz繰り返し周波数
- 300-800 µs公称オン時間（調整可能）
- 5-7 µs幅遅延パルス（セパレートトリガー）
- 立ち下がり時間（遅延パルス）12 ns未満
仕様
| Pulse repetition rate | 1 Hz, 50 Hz, Same as trigger input |
|---|---|
| Amplitude (V1+V2) adjustable (V2=10% of V1) | Min: 1.2 kV, Max: 4.0 kV |
| Total HV on time (adjustable) | Min: 300 µs, Max: 800 µs |
| Centre pulse width (trigger) | Min: 5 µs, Max: 7 µs |
| Fall time | 3.5 kV, 6 pF max: < 12 ns |
| Rise time | 3.5 kV, 6 pF min: 1 µs, 3.5 kV, 6 pF min: 5 µs |
| Load capacitance | 30 pF (with Pockels cell leads) |
| Input voltage | Min: 15 VDC, Max: 18 VDC, Exceeding 20 VDC will damage driver |
|---|---|
| Input current | 4.0 kV, 50 Hz, 10 pF load max: 250 mA |
| Input impedance | Nom: 100 Ω, Min: 90 Ω, Max: 110 Ω |
| Amplitude | Nom: 5 V, Min: 4 V, Max: 6 V |
| Pulse width | Min: 100 ns, Max: 100 µs, Set by user |
| Propagation delay | 80 ns, 100 ns, After trailing edge of trigger |
| Ambient temperature | 50° C |
技術資料
この製品に関するお問合せフォーム
フォームが表示されるまでしばらくお待ちください。
しばらくお待ちいただいてもフォームが表示されない場合、恐れ入りますが こちら までお問合せください。