RTPベースのポッケルスセルの代替に
Pegasusポッケルスセルは、G&H社によって成長および製造された非常に高品質なLiNbO3(ニオブ酸リチウム)結晶を使用しており、高い消光比、高い透過率、低いスイッチング電圧、優れた温度安定性を保証します。
垂直統合により、結晶の成長と研磨から社内の広範なARコーティングに至るまで、エンドツーエンドの品質管理を完全に実現しています。
Pegasusの独自の機能により、RTPベースのポッケルスセルの代替品として、高エネルギーの中赤外線レーザー(例えば、Er:YAG 2.94 µm、Er,Cr:YSGG 2.79 µm、Ho:YAG 2.10 µm、およびTm:YAG 2.01 µm)のQスイッチングにおいてより高性能な選択肢となります。Pegasusは、美容および眼科手術の商業用途や、ターゲット指定および距離測定などの軍事用途に理想的なポッケルスセルです。
アパーチャーは、3 mm、5 mm、7 mm、9 mmをご用意しています。
ネジ付きHVアダプターもオプションも利用可能です。
特長
- G&H米国工場で成長させたLiNbO3結晶
- 高速スイッチングレート:>1 MHz
- 透過率 99 %以上の最高品質のLiNbO3
- 固有のコントラスト比:>1000:1 @ 1064 nm
- 電圧コントラスト比:>1000:1 @ 1064 nm
- 透過波面歪み:<λ/10 @ 1064 nm
- LIDT※ >7 J/cm2 @ 1064 nm, 10 nsec, 1 mm dia.
-
※レーザー誘起損傷閾値
用途
- Qスイッチング
- パルスピッキング
- 減衰
- パワー制御
仕様
結晶素材 | LiNbO3 |
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波長帯 | 700–3500 nm |
Contrast Ratio | >1000:1 |
Active Aperture | 3–9 mm |
Repetition Rate | >1 MHz |
Single Pass Distortion | <λ/10 @ 1064 nm |
Capacitance (DC) | 6 pF |
DC quarter-wave voltage | 1.5 kV |
10-90% rise time (theoretical) into 50 Ω line | 0.7 ns |
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LIDT |
>7 J/cm2 (1 mm beam, 1064 nm, 10 Hz, 10 ns) |
動作温度 | -25° to +70° C |
補完温度 | -55° to +85° C |
湿度 | Non-condensing environment |
Duty cycle | < 10% |
NOTE: All table specifications above are preliminary.
Typical specifications | Pegasus 3 | Pegasus 5 | Pegasus 7 | Pegasus 9 |
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Aperture diameters | 3 mm | 5 mm | 7 mm | 9 mm |
DC quarter-wave voltage @ 1064 nm | 1.18 kV | 1.78 kV | 1.18 kV | 1.48 kV |
技術資料
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