2軸ガルバノユニット
- 高出力アプリケーションに適したツインシェル設計による最低ドリフト値
- ハイパワー用途に適したアナログガルバノ
- 水冷とエアフラッシングのオプション
- 長期ドリフトを 50% 改善する「エンハンスド」オプション
- 使用可能な入力アパーチャサイズ:7、10、12、15、20、30 mm
メリット
SUPERSCAN IIE は、革新的な熱管理とモジュール設計により、要求の厳しいレーザーアプリケーションに最適な偏向ユニットとなっています。
「enhanced」オプションでは、長期ドリフト性能が 50% 向上しています。
長期ドリフトは、追加の水冷処理により、さらに最小化することができます。
ミラーとF-theta レンズ
最適化されたマウントを使用したスキャンミラーと対物レンズが利用可能です。
すべての典型的なレーザータイプ、波長、パワー密度、焦点距離、作業領域、顧客の特定の構成も可能です。
インターフェース
ガルバノユニットは、XY2-100 規格 (16bit) に対応しています。
また、SP-ICE-1 PCIe PRO などのコントロールカードでデジタル制御が可能です。
イノベーションと品質
RAYLASE では、イノベーションと高い品質水準の維持を最優先課題としています。
すべての製品は、独自の研究所や生産設備で開発・建設・試験を行っています。
世界中のサポートネットワークを通じて、お客様に最高のメンテナンスと迅速なサービスを提供することができます。
仕様
一般仕様
電源 | 電圧:±15 to ±18 V 電流:3 A, RMS, max. 10 A リップル /ノイズ:最大 200 mVpp, @ 20 MHz 帯域幅 |
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インターフェース信号:デジタル | XY2-100 プロトコル |
周囲温度 | +15 ~ +35 °C |
保存温度 | -10 ~ +60 °C |
温度 | ≤ 80 % 結露なし |
温度ドリフト | 最大 Gaindrift ※1:< 15 ppm/K 最大 Offsetdrift ※1:< 10 µrad/K |
典型的な振り角 | ± 0.393 rad |
光学分解能 | 12 µrad |
繰り返し精度 (RMS) | 2.0 µrad |
長期ドリフト 8 時間 (水温制御なし) ※1, ※2 | < 150 µrad |
長期ドリフト 8 時間 (水温制御) ※1, ※3 | < 100 µrad |
ポジションノイズ (RMS) | <3.2 µrad |
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※1軸あたりのドリフト
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※230 分間のウォームアップ後、一定の周囲温度およびプロセスストレスで
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※330 分間のウォームアップ後、プロセス負荷を変化させた状態で、水温制御を 2 l/min 以上、水温を 22°C に設定した状態
口径別仕様 - 機械的データ
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①「速度の計算」を参照してください。
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②計算加速時間約1.7×トラッキングエラー。
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③フルスケールの 1/5,000 に落ち着く。
ガルバノユニット | SS-IIE-7 | SS-IIE-10 | SS-IIE-12 | SS-IIE-15 | SS-IIE-20 | SS-IIE-20 L | SS-IIE-30 |
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入力口径 [mm] | 7 | 10 | 12 | 15 | 20 | 20 | 30 |
ビーム変位置 [mm] | 9.0 | 12.4 | 14.0 | 18.55 / 18.05 1 | 26.28 / 25.63 1 | 26.28 / 25.63 1 | 35.82 / 35.38 1 |
質量 (対物レンズなし) [kg] | 約 1.6 | 約 3.3 | 約 3.3 | 約 3.3 | 約 3.3 | 約 5.9 | 約 5.9 |
寸法 (LxWxH) [mm] | 135 x 97 x 102.0 | 170 x 125 x 117.5 | 170 x 125 x 117.5 | 170 x 125 x 117.5 | 170 x 125 x 117.5 | 203 x 159 x 150/160.5 2 | 203 x 159 x 150/160.5 2 |
水焼戻しオプション | ✓ | ✓ | ✓ | ✓ | ✓ | ✓ | |
エアフラッシュオプション | ✓ | ✓ |
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※1石英ガラスミラーの仕様
-
※2AXIALSCAN バリエーションのみ、保護ウィンドウ用の出追加出力
APERTURE 依存仕様 - MIRROR バリエーション
偏向ユニット | SS-IIE-7 | SS-IIE-10 | SS-IIE-12 | SS-IIE-15 | SS-IIE-20 | SS-IIE-30 |
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355 nm | SI | SI | SI | QU, SI | QU | |
532 nm | SI | SI | SI | QU, SI | QU, SI | QU |
780-980 nm + AL | QU | QU | QU | |||
1,064 nm | SI | SI | SI | QU, SI | QU, SI | QU, SI, SC |
900-1,100 nm + AL | SC | |||||
1,020-1,040 nm | QU | |||||
1,060-1,080 nm | QU, SC | |||||
10,600 nm | SI | SI | SI | SI, SC | SI | SI, SC |
標準:QU = 石英 (溶融シリカ)、SI = シリコン、高速:SC = 炭化シリコン
型依存仕様 - DYNAMIC データ
偏向ユニット | SS-II E-7 | SS-II E-10 | SS-IIE-12 | SS-IIE-15 | SS-IIE-15 | SS-IIE-15 |
---|---|---|---|---|---|---|
ミラータイプ | SI | SI | SI | QU | SI | SC |
加速時間 [ms] | 0.19 | 0.22 | 0.25 | 0.36 | 0.30 | 0.24 |
書き込み速度 [cps] ※1, ※2 | 900 | 800 | 650 | 450 | 500 | 650 |
処理速度 [rad/s] ※1 | 90 | 60 | 50 | 35 | 40 | 50 |
位置決め速度 [rad/s] ※1 | 90 | 60 | 50 | 35 | 40 | 50 |
偏向ユニット | SS-IIE-20 / SS-IIE-20 L | SS-IIE-20 / SS-IIE-20 L | SS-IIE-30 | SS-IIE-30 | SS-IIE-30 |
---|---|---|---|---|---|
ミラータイプ | QU | SI | QU | SI | SC |
加速時間 [ms] | 0.70 | 0.61 | 0.90 | 0.84 | 0.52 |
書き込み速度 [cps] ※1, ※2 | 350 | 350 | - | - | - |
処理速度 [rad/s] ※1 | 35 | 35 | 25 | 30 | 35 |
位置決め速度 [rad/s] ※1 | 35 | 35 | 25 | 30 | 35 |
-
※1f-θレンズの場合 f = 160mm / 視野サイズ110mm x 110mm.
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※2高さ 1mm のシングルストロークフォント
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※製品仕様は改良などにより、予告なしに変更となる場合あります。
メーカーHPにアップロードされている最新の仕様も併せて必ずご確認ください。
アプリケーション
彫刻、マーキング、切除、切断、溶接、穿孔、またはオンザフライでの高速処理などの材料処理。
水強化オプションは、微細加工、穴あけ、ITO 構造化、Ag パターニングなど、許容範囲の低い非常に精密なアプリケーション要件に極めて適しています。
技術資料
データシート
動画一覧
SUPERSCAN II - High speed scan heads
デモ機
品名 | 型番 | 数量 |
---|---|---|
2Dガルバノスキャナー F-theta:10.6µm, f=100, Field size approx 70×70mm |
SUPERSCAN-IIE-HS-15 [C] | 1 |
2Dガルバノスキャナー F-theta:1064nm, f=100.3, Field size approx 24×24mm |
SUPERSCAN-IIE-20 [Y] | 1 |
コントロールカード Software:weldMARK 2.0 / 3.0 |
SP-ICE-1 PRO | 1 |
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