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高速 InGaAs フォトダイオード

GPD社の高速 InGaAsフォトダイオードは、最新の赤外線検出技術を提供します。 このフォトダイオードは、800 nmから1700 nmの波長範囲で優れた感度を発揮し、高速通信、光ファイバーシステム、光学計測などの用途に最適です。

例えば、高速通信では高精度なデータ伝送をサポートし、光ファイバーシステムでは効率的な信号処理が可能です。また、光学計測においては、低ノイズ性能と高速応答時間（数ナノ秒以下）により、正確なデータ収集が実現します。

GPD社の高速 InGaAsフォトダイオードは、高い検出効率（0.9 A/W以上）とコンパクトな設計を兼ね備えており、携帯型デバイスや研究機器への組み込みが容易です。これにより、多様なプロジェクトに柔軟に対応できる設計が可能となります。

GPD社の高速 InGaAsフォトダイオードは、高品質と信頼性を兼ね備えた赤外線検出ソリューションとして、専門家から高い評価を受けています。

high-speed-ingaas-photodiodes

特長

  • 小口径 ： 60µm ～ 300µm
  • カットオフ波長 ： 1.7µm
  • 高感度向け低暗電流
  • ハイスピード（2.5GHz）用低キャパシタンス
  • パッケージ ： TO-46
  • カスタム対応可 ： ファイバーピグテイル / レセプタクル / サブマウント

仕様

Electrical Characteristics @25°C

GAP60 / CS GAP75 GAP100 GAP300 Unit
Active Diameter 60 75 100 300 mm
Responsivity @850nm 0.10 (0.20) 0.10 (0.20) 0.10 (0.20) 0.10 (0.20) A/W min. (typ.)
Responsivity @1300nm 0.80 (0.90) 0.80 (0.90) 0.80 (0.90) 0.80 (0.90) A/W min. (typ.)
Responsivity @1550nm 0.95 0.95 0.95 0.95 A/W min.
Dark Current @5V 0.8 (0.3) 0.8 (0.3) 1.0 (0.5) 5.0 (1.0) nA max. (typ.)
Capacitance @5V 0.7 (0.5) / 0.5 (0.3)-CS 0.8 (0.6) 1.2 (1.0) 8.0 (4.0) pF max. (typ.)
Bandwidth 50Ω -3dB 6 / 10-CS 10 3 0.8 GHz min. @5V
Rise / Fall time RL=50Ω 0.06 / 0.03-CS 0.07 0.1 0.4 ns max. @5V
NEP @1550nm 1.00E-14 1.00E-14 1.30E-14 1.80E-14 W/√Hz (typ.)
Case Style (standard) TO-46 (mod) / CS-1 TO-46 (mod) TO-46 (mod) TO-46 (mod)

Maximum Ratings

GAP60 / CS GAP75 GAP100 GAP300 Unit
Storage Temperature -40 to 125 -40 to 125 -40 to 125 -40 to 125 °C
Operating Temperature -40 to 85 -40 to 85 -40 to 85 -40 to 85 °C
Reverse Voltage 25 25 25 25 V
Reverse Current 1 10 10 25 mA
Forward Current 10 10 10 100 mA

アプリケーション

  • 光通信
  • 時間分解蛍光測定
  • LED / LD 時間特性測定
  • レーザー受光 / レンジファインダ（LADAR）
  • 光受光 / 距離測定（LIDAR）
  • 自由空間光学系（FSO）

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