GPD Optoelectronics (GPD)
赤外線フォトダイオード
GPD Optoelectronics社(以下 GPD社)は1973年に 高速ゲルマニウムトランジスタおよびダイオードの製造メーカーとしてアメリカにて創業し、
以降40年以上に渡り、オプトエレクトロニクス事業で高い支持を集めています。
ニューハンプシャーに28,000m2超の広大な敷地を持ち、リソグラフィ、エッジング、ファイバーピグテイル、ボンディング、
デポジション / メタライゼーション、光学特性試験、極低温測定など、全製造工程を自社で一括管理し、安定した供給体制を確立してきました。
品質保証においても、MIL-I-45208 に準拠した検査システム、Telcordia(TA-NWT-00093)、MIL-STD-88 に準拠したテストシステムを
いち早く導入し、日々信頼性の向上に努めています。
1985年からは赤外フォトディテクターの製造を開始。 Ge、p-n、APD や高速 InGaAs ピンフォトダイオード、
放射光検出および通信アプリケーション用大口径フォトディテクタなどをリリース。 様々な分野で OEM採用の実績を持ちます。
近年もカスタム可能な 2色サンドイッチ式フォトダイオードや 4分割 InGaAs フォトダイオードなど、ユニークな製品のリリースを続けています。
製品ラインアップ
-
Ge フォトダイオード
-
高速 InGaAs フォトダイオード
低ノイズ性能と高速応答時間(数ナノ秒以下)
-
大口径 InGaAs フォトダイオード
受光部分が大面積なので、低光量環境でも高感度を維持
-
拡張 InGaAs フォトダイオード
1000 nm から2600 nm の波長範囲で優れた感度を提供
-
InGaAs アバランシェフォトダイオード
-
熱電冷却付き InGaAs フォトダイオード
-
4分割 InGaAs フォトダイオード
(都合によりページ調整中)
-
マルチエレメント リニアアレイ フォトダイオード
-
低PDL InGaAs フォトダイオード
低偏光依存損失(低PDL)設計により、偏光による影響を最小限に抑え、信号の安定性と精度が向上