GPD社のInGaAsアバランシェフォトダイオード(APD)は、赤外線検出において高い性能を提供する製品です。このAPDは、950 nmから1700 nmの波長範囲で高感度を持ち、特に通信、リモートセンシング、レーザー距離測定などのアプリケーションに最適です。例えば、通信分野では高精度なデータ伝送をサポートし、リモートセンシングでは正確な環境データの収集が可能です。レーザー距離測定においては、高速応答時間(ピコ秒単位)と高い信号対雑音比(SNR)により、微弱な信号の検出が実現します。

InGaAs材料の使用により、低ノイズと高ゲイン(例:40 dB)を実現し、検出能力が向上しています。また、堅牢でコンパクトな設計により、携帯型デバイスや固定式システムへの組み込みが容易です。さらに、長期的な運用にも耐える信頼性の高い性能を提供します。

GPD社のInGaAs APDは、その卓越した検出能力と信頼性で、多くの専門家から高い評価を受けています。

特長

  • 有効径 : 80µm ~ 350µm
  • 波長帯域 : 900nm ~ 1650nm
  • リニアオペレーション
  • 高感度向け低暗電流
  • ハイスピード向け低キャパシタンス
  • パッケージ : TO-46 / サブマウント with ボールレンズオプション
  • ファイバーピグテイルオプション

仕様

  • IAV81 / IAV82 / IAV80BL / IAV80PTS / IAV202 / IAV203 / IAV204 / IAV205 / IAV350 / IAV352 / IAV353 の仕様はデータシートをご確認ください。

Electrical Characteristics @23ºC ± 2ºC

Performance Specification IAV80 IAV200 IAV350 Unit
Active Diameter 80 200 350 μm
Wavelength Range 1.0 - 1.63 1.0 - 1.63 1.0 - 1.63 μm
Responsivity @M=1 @1.55μm 0.85 min.|0.90 typ.|0.95 max. 0.85 min.|0.90 typ.|0.95 max. 0.85 min.|0.90 typ.|0.95 max. A/W
Dark Current @M=10 4 typ.|15 max. 8 typ.|25 max. 30 typ.|250 max. nA
Operating Voltage, VR @M=10 43 min.|55 typ.|70 max. 43 min.|55 typ.|70 max. 37 min.|52 typ.|68 max. V
Breakdown Voltage, VBR (ID=10 µA) 40 min.|65 typ.|80 max. 50 min.|63 typ.|75 max. 45 min.|60 typ.|75 max. V
Capacitance @M=10 0.35 min.|0.38 typ.|0.45 max. 1.8 typ.|2.2 max. 3.2 typ.|4.0 max. pF
VBR Temperature Coefficient 0.06 typ. 0.075 typ.|0.08 max. 0.075 typ. V/℃
Bandwidth @M=5 2 min.|2.5 typ.|3 max. 0.5 min.|1.5 typ.|2 max. 0.6 typ. GHz
Bandwidth @M=10 1 min.|1.5 typ.|2 max. 1 min.|1.5 typ.|2 max. 0.6 typ. GHz
Bandwidth @M=20 1.5 min.|2.2 typ.|2.5 max. 0.5 min.|1 typ.|1.5 max. 0.6 typ. GHz
Excess Noise Factor, F @M=10 3.2 typ.|3.7 max. 3.2 typ.|3.7 max. 3.2 typ.|3.7 max. GHz
Excess Noise Factor, F @M=20 5.5 typ.|6 max. 5.5 typ.|6 max. 5.5 typ.|6 max. GHz
Noise Equivalent Power, @M=10 10 typ.|40 max. 32 typ.|100 max. 80 typ.|100 max. fW/Hz1/2
Package TO-46 window cap TO-46 window cap TTO-46 window cap

Maximum Ratings

Performance Specification IAV80 IAV200 IAV350 Unit
Storage Temperature -40 to 85 -40 to 85 -40 to 85 °C
Operating Temperature -40 to 70 -40 to 70 -40 to 70 °C
Reverse Current 1 1 1 mA
Forward Current 10 10 10 mA
Optical Input Density (10ns pulse width) 200 200 200 kW/cm²
Optical Input (average) 1 1 1 mW

アプリケーション

  • 自由空間光学系
  • LIDAR / LADAR
  • 高感度測光
  • 光通信
  • OTDR

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