GPD社の4分割 InGaAs フォトダイオードは、精密な位置検出とトラッキングを可能にする高性能な赤外線検出器です。このフォトダイオードは、800 nmから1700 nmの波長範囲で高い感度を持ち、光通信、レーザーアライメント、光学計測など多様なアプリケーションに最適です。例えば、光通信では高精度なデータ伝送をサポートし、レーザーアライメントでは正確なビーム位置検出が可能です。

光学計測では、低ノイズ性能と高速応答時間(ナノ秒単位)により、精密なデータ収集と解析が実現します。GPD社の4分割 InGaAs は、4つのセグメントで構成されるクアドラントデザインにより、リアルタイムのフィードバック制御に役立ちます。

また、コンパクトで堅牢な設計により、携帯型デバイスや固定式システムへの組み込みが容易です。高品質な素材と先進技術を組み合わせたこのフォトダイオードは、長寿命と高い信頼性を提供し、長期的な運用に最適です。

特長

  • 波長帯域 : 800nm ~ 1700nm
  • 有効径 : 0.5mm / 1.0mm / 1.5mm / 2.0mm / 3.0mm
  • 高感度
  • 低クロストーク
  • 高シャント抵抗
  • 低暗電流
  • 高セグメント帯域幅向け低キャパシタンス
  • パッケージ : TO-18 / TO-5

仕様

Optical & Electrical Characteristics @23ºC ± 2ºC

Performance Specification GAP500Q GAP1000Q GAP1500Q GAP2000Q GAP3000Q Unit
Active Surface Diameter 0.5 1 1.5 2 3 mm 
Sector Area 0.0423 0.184 0.423 0.76 1.73 mm²
Element Gap 0.02 0.02 0.02 0.03 0.03 mm
Crosstalk (typ./max.) 2/5 2 / 5 2 / 5 2 / 5 2 / 5 %
Wavelength Range 800 to 1700 800 to 1700 800 to 1700 800 to 1700 800 to 1700 nm
Peak Wavelength 1600 1600 1600 1600 1600 nm 
Cutoff Wavelength (50%) 1650 1650 1650 1650 1650 nm 
Responsivity @λPEAK (min./typ.) 0.9 / 0.95 0.9 / 0.95 0.9 / 0.95 0.9 / 0.95 0.9 / 0.95 A/W 
Dark Current @5V (typ./max.) 0.1|2 0.6|6 1=12 2|22 @2V 5|50 @2V  nA 
Shunt Resistance (min./typ.) 390|781 88|176 40|80 23|46 10|20
NEP @λPEAK 7 14 21 28 42 fW/Hz1/2
Junction Capacitance @0V 4|7 19|31 41|68 72|21 165|275 pF
Junction Capacitance @5V 4|6 8|10 17|22 31|39 @2V 70|90 @2V pF
Rise/Fall Time @5V (typ.) 0.4 1 2 4 8 ns
Package TO-46  TO-46  TO-46  TO-5  TO-5 

Maximum Ratings

Performance Specification GAP500Q GAP1000Q GAP1500Q GAP2000Q GAP3000Q Unit
Storage Temperature -40 to 70 -40 to 70 -40 to 70 -40 to 70 -40 to 70
Operating Temperature -40 to 85 -40 to 85 -40 to 85 -40 to 85 -40 to 85
Reverse Current  1 1 1 1 1 mA
Forward Current 10 10 10 10 10 mA

アプリケーション

  • ビームアライメント
  • レーザー導光
  • 光ピンセット
  • ビームプロファイリング

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